带有LTE旁路开关的SiGe:C低噪声放大器MMIC

BGS8L4UK是一款低噪声放大器(LNA)，带有用于LTE接收器应用的旁路开关，可提供晶圆级芯片封装(WLCSP)。BGS8L4UK需要使用一个外部匹配电感器。\n BGS8L4UK为需要提高灵敏度的主要和多样性应用提供系统优化的增益。此低噪声器件具有高线性度，确保在频分双工(FDD)系统中提供与移动通信发射功率电平无关的必要接收灵敏度。当接收信号足够强大，可以关闭BGS8L4UK，电流为1μA时以旁路模式运行，从而降低功耗。BGS8L4UK仅需要使用一个外部匹配电感器。\n BGS8L4UK优化用于720 MHz至960 MHz功率。 工作频率范围：720 MHz至960 MHz\n 噪声系数(NF) = 0.8 dB\n 增益：17.3 dB\n -5.0 dBm高输入1 dB压缩点\n 旁路开关插入损耗：-1.8 dB\n 1.0 dBm的IP3i\n 电源电压范围：1.5 V至3.1 V\n 集成电源去耦电容\n 4.4 mA电源电流时性能最佳\n 旁通模式电流消耗集成的温度稳定偏差支持轻松设计\n 只需一个输入匹配电感器\n 输入和输出AC已耦合\n 对所有引脚提供ESD防护(HBM > 2 kV)\n 集成输出匹配\n 0.69 mm x 0.44 mm x 0.29 mm超小型晶圆级芯片封装(WLCSP)；6个凸;

恩XP

SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE

文件：178.76 Kbytes 页数：13 Pages

恩XP

原厂封装

Infineon/英飞凌

上传：深圳市昊天芯诚电子有限公司

N/A

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原厂封装

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