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BGR420分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BGR420
厂商型号

BGR420

参数属性

BGR420 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 13V SOT343-4

功能描述

NPN Silicon RF Transistor With Bias Circuitry
RF TRANS NPN 13V SOT343-4

文件大小

316.38 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 15:25:00

BGR420规格书详情

Features

• Noise figure NF = 1.5 dB at 0.4 GHz

• Gain S21 = 26 dB at 0.4 GHz

• On chip bias circuitry, 13 mA bias current at VCC = 3.6 V;

VBB = 2.8 V

• SIEGET ® 25 GHz fT-Line

• Pb-free (RoHS compliant) package

* Short term description

Applications

• LNAs

BGR420属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。英飞凌科技股份公司制造生产的BGR420晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BGR420H6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    13V

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz

  • 功率 - 最大值:

    120mW

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    25mA

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT343-3D

  • 描述:

    RF TRANS NPN 13V SOT343-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
23+
SOT343-4
360000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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BEREX
21+
SOT363
5000
全新原装现货 价格优势
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进口原装
23+
PLCC
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2023+
PLCC
50000
原装现货
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2022+
原厂原包装
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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INFINEON/英飞凌
23+
SOT-343
5000
专注配单,只做原装进口现货
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INFINEON/英飞凌
23+
SOT-343
5000
专注配单,只做原装进口现货
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23+
SOT-343
7000
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