BG3430R 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 INFINEON/英飞凌

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原厂料号:BG3430R品牌:Infineon/Infineon Technologies

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BG3430R是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商Infineon/Infineon Technologies/Infineon Technologies生产封装SOT-363/6-VSSOP,SC-88,SOT-363的BG3430R晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

  • 芯片型号:

    BG3430R

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    INFINEON【英飞凌】详情

  • 厂商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名称:

    英飞凌科技公司

  • 内容页数:

    11 页

  • 文件大小:

    548.31 kb

  • 资料说明:

    DUAL N-Channel MOSFET Tetrode

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    BG3430RH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    2 N-通道(双)

  • 频率:

    800MHz

  • 增益:

    25dB

  • 额定电流(安培):

    25mA

  • 噪声系数:

    1.3dB

  • 封装/外壳:

    6-VSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT363-PO

  • 描述:

    MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

供应商

  • 企业:

    深圳市环球伟业电子有限公司

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    林先生

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