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BFY193数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

BFY193

参数属性

BFY193 封装/外壳为MICRO-X1;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

功能描述

HiRel NPN Silicon RF Transistor (HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers up to 2 GHz.)
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

封装外壳

MICRO-X1

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 19:45:00

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BFY193规格书详情

简介

BFY193属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的BFY193晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    BFY193PZZZA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    7.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz

  • 增益:

    12.5dB ~ 13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    580mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 30mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    MICRO-X1

  • 供应商器件封装:

    MICRO-X1

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

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