BFY193数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

厂商型号 |
BFY193 |
参数属性 | BFY193 封装/外壳为MICRO-X1;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1 |
功能描述 | HiRel NPN Silicon RF Transistor (HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, high gain broadband amplifiers up to 2 GHz.) |
封装外壳 | MICRO-X1 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 19:45:00 |
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BFY193规格书详情
简介
BFY193属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的BFY193晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号:
BFY193PZZZA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
7.5GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz
- 增益:
12.5dB ~ 13.5dB
- 功率 - 最大值:
580mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 30mA,8V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
80mA
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
MICRO-X1
- 供应商器件封装:
MICRO-X1
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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INFINEON |
23+ |
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22+ |
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MOT/PHI |
24+ |
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