BFU730F 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 NXP/恩智浦

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1+	面议

厂家型号：
BFU730F
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
NXP/恩智浦
库存数量：
8560
产品封装：
SOT343
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-15 14:41:00

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详细信息
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原厂料号：BFU730F品牌：NXP

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BFU730F是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商NXP/NXP USA Inc.生产封装SOT343/SOT-343F的BFU730F晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
BFU730F
规格书：
下载下载2
企业简称：
NXP【恩智浦】详情
厂商全称：
NXP Semiconductors
中文名称：
恩智浦半导体公司
内容页数：
130 页
文件大小：
9375.07 kb
资料说明：
RF Manual 16th edition

产品属性

类型
描述
产品编号：
BFU730F,115
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
2.8V
频率 - 跃迁：
55GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
功率 - 最大值：
197mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
205 @ 2mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343F
供应商器件封装：
4-DFP
描述：
RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP

供应商

企业：
深圳市华来深电子有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
朱先生
手机：
13751106682
询价：
电话：
0755-83238902/13662247350
传真：
0755-83972189
地址：
深圳市福田区上步工业区205栋5A36室/门市部:深圳市福田区华强北路国利大厦新亚洲二期N2B227

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BFU730F

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