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BFU710F分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFU710F
厂商型号

BFU710F

参数属性

BFU710F 封装/外壳为SOT-343F;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP

功能描述

RF Manual 16th edition
RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP

文件大小

9.37507 Mbytes

页面数量

130

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-15 16:32:00

BFU710F规格书详情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

BFU710F属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。恩智浦半导体公司制造生产的BFU710F晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    BFU710F,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    2.8V

  • 频率 - 跃迁:

    43GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz

  • 功率 - 最大值:

    136mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 1mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    10mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-343F

  • 供应商器件封装:

    4-DFP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP/恩智浦
SOT343F
6000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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NXP/恩智浦
23+
NA/
6250
原装现货,当天可交货,原型号开票
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NXP
2023+
SOT343
700000
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NXP/恩智浦
SOT343
7906200
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NXP-恩智浦
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NXP/恩智浦
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SOT343
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NXP/恩智浦
21+ROHS
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SOT343
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