BFR182WH6327XTSA1_分立半导体产品 晶体管-双极(BJT)-射频-英飞凌

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原厂料号:BFR182WH6327XTSA1品牌:Infineon Technologies

资料说明:RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

BFR182WH6327XTSA1是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。制造商INFINEON/英飞凌生产封装SC-70,SOT-323的BFR182WH6327XTSA1晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

  • 芯片型号:

    bfr182wh6327xtsa1

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    INFINEON【英飞凌】详情

  • 厂商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名称:

    英飞凌科技公司

  • 资料说明:

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    BFR182WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    8GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    19dB

  • 功率 - 最大值:

    250mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 10mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT323

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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