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BFQ790分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFQ790
厂商型号

BFQ790

参数属性

BFQ790 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 6.1V 1.85GHZ SOT89

功能描述

High Linearity RF Medium Power Amplifier
RF TRANS NPN 6.1V 1.85GHZ SOT89

文件大小

491.73 Kbytes

页面数量

23

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-4 20:30:00

BFQ790规格书详情

BFQ790属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。英飞凌科技公司制造生产的BFQ790晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    BFQ790H6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    6.1V

  • 频率 - 跃迁:

    1.85GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    2.6dB @ 1.8GHz

  • 增益:

    17dB

  • 功率 - 最大值:

    1.5W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 250mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    300mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT89

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6.1V 1.85GHZ SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
21+
SOT89
8800
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