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BFP840FESDH6327XTSA1

Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

文件:1.48023 Mbytes 页数:28 Pages

INFINEON

英飞凌

BFP840FESDH6327XTSA1

Package:4-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP

INFINEON

英飞凌

BFQ19S

INFINEO

BFQ19SH6327

SOT89

INFINEO

BFR181WH6327

SOT323

INFINEON

英飞凌

上传:深圳权泰科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    BFP840FESDH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    2.6V

  • 频率 - 跃迁:

    85GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.75dB @ 5.5GHz

  • 增益:

    35dB

  • 功率 - 最大值:

    75mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 10mA,1.8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    PG-TSFP-4-1

  • 描述:

    RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP

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更多BFP840FESDH6327供应商 更新时间2026-2-3 14:16:00