BFP840ESDH6327 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 INFINEON/英飞凌

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1+	面议

厂家型号：
BFP840ESDH6327
产品分类：
芯片
生产厂商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
28520
产品封装：
NA
生产批号：
23+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2024-5-22 14:37:00

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原厂料号：BFP840ESDH6327品牌：INFINEON

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BFP840ESDH6327是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商INFINEON/Infineon Technologies生产封装NA/SC-82A，SOT-343的BFP840ESDH6327晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
BFP840ESDH6327
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
资料说明：
射频双极电源晶体管 RF BIP TRANSISTORS

产品属性

类型
描述
产品编号：
BFP840ESDH6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
2.25V
频率 - 跃迁：
80GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.85dB @ 5.5GHz
增益：
18.5dB
功率 - 最大值：
75mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 10mA，1.8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
供应商器件封装：
PG-SOT343-4-2
描述：
RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343

供应商

企业：
深圳市正迈科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
董小姐(原装现货供应商)
手机：
18124078320
询价：
电话：
18124078320
传真：
0755-83200684
地址：
深圳市福田区华富路振华集团华康大厦1栋412室

BFP840ESDH6327 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 INFINEON/英飞凌

BFP840ESDH6327

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