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BFP750	文件：1.8587 Mbytes Page：27 Pages	High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor Product Brief The BFP750 is a wideband linear low noise NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineons reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4 V and currents up to IC = 120 mA. Wit 文件：1.8587 Mbytes 页数：27 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP750	文件：1.58042 Mbytes Page：29 Pages	High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor 文件：1.58042 Mbytes 页数：29 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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更多BFP750供应商更新时间2026-1-17 9:04:00