BFP620FH7764 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 射频 INFINEON/英飞凌

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原厂料号:BFP620FH7764品牌:INFINEON/英飞凌

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BFP620FH7764是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。制造商INFINEON/英飞凌/Infineon Technologies生产封装TSFP4/4-SMD,扁平引线的BFP620FH7764晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

  • 芯片型号:

    BFP620FH7764

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    INFINEON【英飞凌】详情

  • 厂商全称:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名称:

    英飞凌科技公司

  • 内容页数:

    10 页

  • 文件大小:

    154.82 kb

  • 资料说明:

    NPN Silicon Germanium RF Transistor

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    BFP620FH7764XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    2.8V

  • 频率 - 跃迁:

    65GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

  • 增益:

    21dB ~ 10dB

  • 功率 - 最大值:

    185mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    110 @ 50mA,1.5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    4-TSFP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP

供应商

  • 企业:

    深圳市汇莱威科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    朱先生

  • 手机:

    13715291026

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