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BFP182W分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFP182W
厂商型号

BFP182W

参数属性

BFP182W 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

功能描述

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

封装外壳

SC-82A,SOT-343

文件大小

551.25 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-4 17:45:00

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BFP182W规格书详情

BFP182W属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFP182W晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BFP182WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    8GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    22dB

  • 功率 - 最大值:

    250mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 10mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT343-3D

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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