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BFG135A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

BFG135A

参数属性

BFG135A 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4

功能描述

NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 10:35:00

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BFG135A规格书详情

描述 Description

• For low-distortion broadband amplifier stages in antenna and telecommunication systems up to 2 GHz at collector currents from 70 mA to 130 mA
• Power amplifiers for DECT and PCN systems
• Integrated emitter ballast resistor
• fT = 6 GHz

简介

BFG135A属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的BFG135A晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

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  • 产品编号:

    BFG135AE6327XT

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    6GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    9dB ~ 14dB

  • 功率 - 最大值:

    1W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 100mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT223-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4

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