BFG135A中文资料NPN Silicon RF Transistor数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
BFG135A |
| 参数属性 | BFG135A 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4 |
| 功能描述 | NPN Silicon RF Transistor |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
| 人工找货 | BFG135A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BFG135A规格书详情
描述 Description
• For low-distortion broadband amplifier stages in antenna and telecommunication systems up to 2 GHz at collector currents from 70 mA to 130 mA
• Power amplifiers for DECT and PCN systems
• Integrated emitter ballast resistor
• fT = 6 GHz
简介
BFG135A属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的BFG135A晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
BFG135AE6327XT
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
- 频率 - 跃迁：
6GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- 增益：
9dB ~ 14dB
- 功率 - 最大值：
1W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 100mA，8V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
150mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
PG-SOT223-4
- 描述：
RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
6020 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
INFINEO |
24+ |
SOT223 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
INF |
25+ |
SOT-223 |
5080 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOT223 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
SIEMENS |
24+/25+ |
582 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
INENOI |
20+ |
SOT223 |
6500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
1NFINEON |
24+ |
SOT-223 |
6500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
SOT223-4 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
Infineon |
2025+ |
SOT-223 |
5425 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 |
