BFG10W/X,115_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-恩智浦

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厂家型号：
BFG10W/X,115
制造商：
NXP/恩智浦
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
SOT-343 反向插针
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-3 10:08:00

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原厂料号：BFG10W/X,115品牌：NXP USA Inc.

资料说明：RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO

BFG10W/X,115是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商NXP/恩智浦生产封装SOT-343 反向插针的BFG10W/X,115晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
bfg10w/x,115
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
NXP【恩智浦】详情
厂商全称：
NXP Semiconductors
中文名称：
恩智浦半导体公司
资料说明：
RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO

产品属性

类型
描述
产品编号：
BFG10W/X,115
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
频率 - 跃迁：
1.9GHz
功率 - 最大值：
400mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
250mA
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343 反向插针
供应商器件封装：
4-SO
描述：
RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO

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BFG10W/X,115

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