isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=5.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.5Ω(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

4TH GENERATION MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

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SEME-LAB

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MOSFETs and JFETs

TT Electronics

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SMD

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GE0805C-3

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