BF999中文资料射频 MOSFET 和有源偏置控制器数据手册Infineon规格书

描述 Description

硅N沟道MOSFET三极管

特性 Features

• 适用于高达 300 MHz 的高频级，尤其适用于 FM 应用
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装

简介

BF999属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BF999晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。