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ONSEMI/安森美

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onsemiTO-92(TO-226)

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onsemiTO-92(TO-226)

21000

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SIEMENSTO-92

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ONTO92GP

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CONTINENTALD原厂正规渠道

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sie

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SIEMENSTO-92

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MOTOROLATSSOP-14

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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BF959ZL1G

onsemiTO-92(TO-226)

7734

25+

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onsemiTO-92(TO-226)

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深圳市赛美科科技有限公司

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ON/安森美NA

275000

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深圳市威雅利发展有限公司

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BF959ZL1G

ONTO-92

210

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深圳市达恩科技有限公司

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BF959RL1G

ONNA

3000

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进口原装 假一罚十 现货

深圳市纳福半导体有限公司

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ONSEMITO-92/TO-226

5800

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原装现货,欢迎来电咨询

深圳市赛特兴科技有限公司

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BF959ZL1G

ONTO-92

210

23+

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深圳市一线半导体有限公司

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BF959ZL1

ONTO92GP

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深圳市川科科技有限公司

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BF959ZL1G

ON-安森美TO-92-3

18800

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BF959G

TFKTO-92

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BF959功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 20V VHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BF959/D功能描述:VHF Transistor

BF959G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 20V VHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BF959RL1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 20V VHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BF959RL1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 20V VHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BF959-UV1/3功能描述:紫外线灯 9mm X 59mm UV 365 nm RoHS:否 制造商:JKL Components 封装:Bulk

BF959ZL1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 20V VHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BF959ZL1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 20V VHF NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    BF959

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：

    20V

  • 频率 - 跃迁：

    700MHz

  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：

    3dB @ 200MHz

  • 功率 - 最大值：

    625mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 20mA，10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-226-3，TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装：

    TO-92（TO-226）

  • 描述：

    RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3

晶体管资料

  • 型号：

    BF959

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    甚高频 （VHF）_电视 （TV）_中频放大 （ZF）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

  • 最大电流允许值：

  • 最大工作频率：

    1.1GHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BF357,BF373,BF523,BF920,BF921S,3DG44,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    A-33

  • vtest：

    0

  • htest：

    1100000000

  • atest：

    0

  • wtest：

    0

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