BF823中文资料250V,0.05A,General Purpose PNP Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书
| 厂商型号 |
BF823 |
| 参数属性 | BF823 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 250V 0.05A TO236AB |
| 功能描述 | 250V,0.05A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-26 23:02:00 |
| 人工找货 | BF823价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BF823三极管、BF823晶体管、BF823晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_视频输出 （Vid）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
250V
- 最大电流允许值：
0.05A
- 最大工作频率：
>60MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
250
- htest：
60000100
- atest：
0.05
- wtest：
0
技术参数
- 制造商编号
：BF823
- 生产厂家
：Galaxy
- V(BR)CEO_Min_(V)
：250
- IC_(A)
：0.05
- hFE _Min
：50
- VCE_(V)
：20
- IC_(mA)
：25
- VCE(sat)(V)
：0.8
- IC_(mA)1
：30
- IB_(mA)
：5
- fT _Min _(MHz)
：60
- PTM _Max_(W)
：0.25
- Package_Outlines
：SOT-23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-92 |
6618 |
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