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BF821分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BF821

参数属性

BF821 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 300V 0.05A TO236AB

功能描述

Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

800.36 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

FOSHAN

中文名称

蓝箭电子

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-19 18:35:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BF821W

  • 别名:

    BF821三极管、BF821晶体管、BF821晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_视频输出 (Vid)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    300V

  • 最大电流允许值:

    0.05A

  • 最大工作频率:

    >60MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    300

  • htest:

    60000100

  • atest:

    0.05

  • wtest:

    0

BF821规格书详情

描述 Description

Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package.

特性 Features

Low current, high voltage.

Applications

Telephony and professional communication equipment.

产品属性

  • 产品编号:

    BF821,235

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    800mV @ 5mA,30mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 25mA,20V

  • 频率 - 跃迁:

    60MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 300V 0.05A TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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