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BF799W分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

BF799W

参数属性

BF799W 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3

功能描述

NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3

丝印标识

LKs

封装外壳

SOT-323 / SC-70,SOT-323

文件大小

128.539 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

INFINEON

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-27 10:44:00

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BF799W规格书详情

BF799W属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BF799W晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

NPN Silicon RF Transistor

• For linear broadband amplifier

application up to 500 MHz

• SAW filter driver in TV tuners

• Pb-free (RoHS compliant) package1)

• Qualified according AEC Q101

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BF799WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    20V

  • 频率 - 跃迁:

    800MHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    3dB @ 100MHz

  • 功率 - 最大值:

    280mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 20mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT323

  • 描述:

    RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
2023+
SOT-343
12000
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INFIEON
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SOT-323
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INFINEON/英飞凌
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TO23-3
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LNFINEON
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SOT323
598000
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INFINEON
2023+
SOT323
50000
原装现货
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22+
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SOT-323
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Infineon/英飞凌
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SOT-323
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