BF799W分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BF799W |
| 参数属性 | BF799W 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3 |
| 功能描述 | NPN Silicon RF Transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-323 / SC-70，SOT-323 |
| 文件大小 |
65.76 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-30 22:30:00 |
| 人工找货 | BF799W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BF799W规格书详情
BF799W属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BF799W晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
BF799WH6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
- 频率 - 跃迁：
800MHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3dB @ 100MHz
- 功率 - 最大值：
280mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 20mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
PG-SOT323
- 描述：
RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEO |
24+ |
323 |
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