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更多BF240_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR TRANSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
BF240_J35Z
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
40V
- 频率 - 跃迁:
1.1GHz
- 功率 - 最大值:
350mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
65 @ 1mA,10V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
50mA
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商器件封装:
TO-92-3
- 描述:
RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3