BF2030W数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
BF2030W |
| 参数属性 | BF2030W 封装/外壳为SC-82A，SOT-343；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：MOSFET N-CH 8V 40MA SOT343 |
| 功能描述 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
| 封装外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 10:09:00 |
| 人工找货 | BF2030W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BF2030W规格书详情
描述 Description
• For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz
• Operating voltage 5V
• Pb-free (RoHS compliant) package1)
• Qualified according AEC Q101
简介
BF2030W属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BF2030W晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
BF2030WH6814XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
N 通道
- 频率：
800MHz
- 增益：
23dB
- 额定电流（安培）：
40mA
- 噪声系数：
1.5dB
- 封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
- 供应商器件封装：
PG-SOT343-3D
- 描述：
MOSFET N-CH 8V 40MA SOT343
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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询价 | ||
INFINEON&NBS |
24+ |
SOT-343 |
6500 |
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询价 | ||
infineon |
16+ |
原厂封装 |
10000 |
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询价 | ||
24+ |
SOT343 |
9860 |
原装现货/放心购买 |
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INFINEON |
22+ |
SOT343 |
8000 |
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Infineon(英飞凌) |
21+ |
SOT343 |
17550 |
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INFINEON |
1922+ |
SOT-343 |
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INFIEON |
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INFINEON |
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SOT343 |
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Infineon |
25+23+ |
Sot-343 |
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