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BF2030W	文件：277.67 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 5V • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：277.67 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BF2030W	文件：16.45 Kbytes Page：2 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V) • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 5V 文件：16.45 Kbytes 页数：2 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF2040	文件：16.43 Kbytes Page：2 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V) •For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz •Operating voltage 5V 文件：16.43 Kbytes 页数：2 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF2040	文件：262.019 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise , high gain controlled input stages up to 1GHz •Operating voltage 5 V 文件：262.019 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BF2040R	文件：262.019 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise , high gain controlled input stages up to 1GHz •Operating voltage 5 V 文件：262.019 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BF2040W	文件：262.019 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode •For low noise , high gain controlled input stages up to 1GHz •Operating voltage 5 V 文件：262.019 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BF2040W	文件：31.09 Kbytes Page：2 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V) •For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz •Operating voltage 5V 文件：31.09 Kbytes 页数：2 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BF224	文件：145.95 Kbytes Page：6 Pages	RF Transistor RF Transistor NPN Silicon 文件：145.95 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BF224	文件：109.52 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：109.52 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BF240	文件：27.68 Kbytes Page：3 Pages	NPN RF Transistor NPN RF Transistor 文件：27.68 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

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产品属性

产品编号：
SMAJ8.0CA
制造商：
Bourns Inc.
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
SMAJ
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
8V
电压 - 击穿（最小值）：
8.89V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
13.6V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
29.4A
功率 - 峰值脉冲：
400W
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
描述：
TVS DIODE 8VWM 13.6VC SMA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳冠荣电子有限公司	SMAJ8.0CA	SUNMATE(森美特)	2019+ROHS	DO-214AC(SMA)	66688	森美特高品质产品原装正品免费送样	询价
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