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BF199分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

BF199

参数属性

BF199 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3

功能描述

PNP OUTPUT TRANSISTOR

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

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301.65 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

ETC List of Unclassifed Manufacturers

中文名称

未分类制造商

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更新时间

2026-2-2 22:59:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BF199

  • 别名:

    BF199三极管、BF199晶体管、BF199晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    电视 (TV)_中频放大 (ZF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

  • 最大工作频率:

    550MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BF224,BF311,BF373,BF597,3DG122C,3DG4302,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-33

  • vtest:

    0

  • htest:

    550000000

  • atest:

    0

  • wtest:

    0

产品属性

  • 产品编号:

    BF199

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    25V

  • 频率 - 跃迁:

    1.1GHz

  • 功率 - 最大值:

    350mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    38 @ 7mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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