BDX34分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BDX34 |
| 参数属性 | BDX34 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 60V 10A TO220 |
| 功能描述 | DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
166.76 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 中文名称 | 新泽西半导体 新泽西半导体产品股份有限公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 19:39:00 |
| 人工找货 | BDX34价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BDX34规格书详情
DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
..designed for general-purpose amplifier and low speed switching application*
FEATURES:
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus) = 45 V (Min) - BDX33. BUX34
= 60 V(Min)- BDX33A. BDX34A
= 80V (Min)- BDX33B. BDX34B
= 100 V(Mln) - BDX33C. BOX34C
* Monolithic Construction wtth Built-in Base-Emitter Shunt Resistor
产品属性
- 产品编号：
BDX34A-S
- 制造商：
Bourns Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 8mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 4A，3V
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS PNP DARL 60V 10A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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