BDW93C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
BDW93C规格书详情
描述 Description
The BDW93C is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. It is intented for use in power linear and switching applications.
The complementary PNP type is BDW94C.
Also BDW94B is a PNP type.
特性 Features
• STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES
• INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE
• COMPLEMENTARY PNP -NPN DEVICES
简介
BDW93C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BDW93C晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BDW93C
- 生产厂家
：ST
- Marketing Status
：Active
- Grade
：Industrial
- Transistor Polarity
：NPN
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
：100
- Collector-Base Voltage_max(V)
：100
- Collector Current_abs_max(A)
：12
- Dc Current Gain_min
：750
- Dc Current Gain_max
：20000
- Test Condition for hFE (IC)
：5
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
：3
- VCE(sat)_max(V)
：2
- Test Condition for VCE(sat) - IC
：5
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
：20
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