BDV65A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BDV65A |
| 参数属性 | BDV65A 封装/外壳为TO-218-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 12A TO218 |
| 功能描述 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
| 封装外壳 | TO-218-3 |
| 文件大小 |
89.68 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 中文名称 | 新泽西半导体 新泽西半导体公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-17 17:00:00 |
| 人工找货 | BDV65A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BDV65A三极管、BDV65A晶体管、BDV65A晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
12A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BDV67A,BDW83B,FH9C,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-62
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
125
BDV65A规格书详情
产品属性
- 产品编号：
BDV65A
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
- 频率 - 跃迁：
60MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-218-3
- 供应商器件封装：
TO-218
- 描述：
TRANS NPN 80V 12A TO218
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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