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BDP954数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BDP954

参数属性

BDP954 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 3A SOT223-4

功能描述

General Purpose Transistor
TRANS PNP 100V 3A SOT223-4

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:39:00

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BDP954规格书详情

描述 Description

Silicon NPN Transistors

特性 Features

·For AF driver and output stages
·High collector current
·High current gain
·Low collector-emitter saturation voltage
·Complementary types: BDP948, BDP950, BDP954 (PNP)
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q101

应用 Application

·For AF driver and output stages

简介

BDP954属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BDP954晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BDP954

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Polarity 

    :PNP (Single)

  • VCEO max

    :100.0V

  • Ptot max

    :5000.0mW

  • hFE min max

    :85.0 475.0

  • IC max

    :3000.0mA

  • IC 

    :3000.0mA 

  • VCE 

    :1.0V 

  • VCBO max

    :120.0V

  • VEBO max

    :5.0V

  • ICM max

    :5000.0mA

  • ICBO max

    :100.0nA

  • fT 

    :100.0MHz 

  • VCE(sat) max

    :0.5V

  • Mounting 

    :SMT

  • IBM max

    :500.0mA

  • Package 

    :P-SOT223-4-10

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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