BDC01D分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BDC01D |
| 参数属性 | BDC01D 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 0.5A TO92 |
| 功能描述 | One Watt Amplifier Transistor |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） |
| 文件大小 |
130.32 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | MOTOROLA |
| 中文名称 | 摩托罗拉 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-28 10:07:00 |
| 人工找货 | BDC01D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BDC01D三极管、BDC01D晶体管、BDC01D晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
1.5A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
2.5W
- 放大倍数：
β=400
- 图片代号：
A-20
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
1.5
- wtest：
2.5
BDC01D规格书详情
One Watt Amplifier Transistor
NPN Silicon
产品属性
- 产品编号：
BDC01DRL1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 100mA，1V
- 频率 - 跃迁：
50MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
- 供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS NPN 100V 0.5A TO92
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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