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BD912分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	BD912
参数属性	BD912 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 100V 15A TO220
功能描述	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS TRANS PNP 100V 15A TO220
封装外壳	TO-220-3
文件大小	97.27 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	STMicroelectronics
企业简称	STMICROELECTRONICS【意法半导体】
中文名称	意法半导体集团官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-7-25 15:29:00
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BD912规格书详情

BD912属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由意法半导体集团制造生产的BD912晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

DESCRIPTION

The BD909 and BD911 are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in power linear and switching applications.

The complementary PNP types are BD910 and BD912 respectively.

■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES

产品属性

产品编号：
BD912
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 2.5A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 5A，4V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 100V 15A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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