BD810中文资料High Power PNP BipolarTransistor数据手册ONSEMI规格书
BD810规格书详情
描述 Description
The High Power NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
特性 Features
• DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc
• Pb-Free Packages are Available
简介
BD810属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BD810晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BD810
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：1.1
- IC Cont. (A)
：10
- VCEO Min (V)
：80
- VCBO (V)
：80
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：1.6
- hFE Min
：30
- hFE Max
：-
- fT Min (MHz)
：1.5
- PTM Max (W)
：90
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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