BD810数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
BD810 |
| 参数属性 | BD810 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 10A TO220 |
| 功能描述 | High Power PNP BipolarTransistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 14:42:00 |
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BD810规格书详情
描述 Description
The High Power NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
特性 Features
• DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc
• Pb-Free Packages are Available
简介
BD810属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BD810晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BD810
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：1.1
- IC Cont. (A)
：10
- VCEO Min (V)
：80
- VCBO (V)
：80
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：1.6
- hFE Min
：30
- hFE Max
：-
- fT Min (MHz)
：1.5
- PTM Max (W)
：90
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RohmSemiconductor |
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ROHM |
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