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BD810中文资料High Power PNP BipolarTransistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BD810

参数属性

BD810 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 10A TO220

功能描述

High Power PNP BipolarTransistor
TRANS PNP 80V 10A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:14:00

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BD810规格书详情

描述 Description

The High Power NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

特性 Features

• DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc
• Pb-Free Packages are Available

简介

BD810属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD810晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BD810

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1.1

  • IC Cont. (A)

    :10

  • VCEO Min (V)

    :80

  • VCBO (V)

    :80

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :1.6

  • hFE Min

    :30

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :1.5

  • PTM Max (W)

    :90

  • Package Type

    :TO-220-3

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