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BD678A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BD678A

参数属性

BD678A 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 60V 4A SOT32-3

功能描述

Plastic Medium?뭁ower Silicon PNP Darlingtons

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

59.19 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2026-2-2 17:53:00

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BD678A规格书详情

Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons

This series of plastic, medium−power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general−purpose amplifier applications.

特性 Features

• High DC Current Gain − hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc

• Monolithic Construction

• BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 are complementary

with BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681

• BD678, 678A, 680, 680A are equivalent to MJE 700, 701, 702, 703

• Pb−Free Package are Available*

产品属性

  • 产品编号:

    BD678A

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.8V @ 40mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 2A,3V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-32-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 60V 4A SOT32-3

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