BD675中文资料Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
BD675 |
参数属性 | BD675 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 45V 4A TO126 |
功能描述 | Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 19:00:00 |
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BD675规格书详情
描述 Description
The Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor is for use as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.
特性 Features
• High DC Current GainhFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc
• Monolithic Construction
• BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 are complementary with BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682
• BD677, 677A, 679, 679A are equivalent to MJE 800, 801, 802, 803
• Pb-Free Packages are Available
简介
BD675属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BD675晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BD675
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Polarity
:NPN
- IC Continuous (A)
:4
- V(BR)CEO Min (V)
:45
- VCE(sat) Max (V)
:2.5
- hFE Min (k)
:0.75
- hFE Max (k)
:-
- fT Min (MHz)
:1
- Package Type
:TO-225-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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