| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemiTO-220-3 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemiTO-220-3 |
18746 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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7年
留言
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onsemiTO-220-3 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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17年
留言
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TO-220 |
10000 |
24+ |
全新 |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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5年
留言
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FAIRCHILD/仙童22+ |
6000 |
TO-220 |
十年配单,只做原装 |
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BD533J图片
BD533J中文资料Alldatasheet PDF
更多BD533J功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
BD533J
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
12MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
TRANS NPN 45V 8A TO220-3
