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CJ/长电TO-126

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深圳市星宇佳科技有限公司

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BD436

ST/意法TO-126

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深圳市正迈科技有限公司

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BD436S

仙童FAIRCHILDTO126

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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BD436其他被动元件

PHITO-126

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BD436T

ON/安森美TO-225

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BD436

PHITO126

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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PH/MOTTO-126

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深圳飞弛宏科技有限公司

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深圳市佳芯扬电子有限公司

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艾睿（深圳）半导体有限公司

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BD436

STTO-126

100500

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深圳市莱克讯科技有限公司

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STTO-126

6896

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原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货

深圳市威尔健半导体有限公司

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BD436

ST/意法TO126

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深圳市华斯顿科技有限公司

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BD436

ST(意法)

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BD436

MOT

1695

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长电TO-126

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BD436

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芯有半导体（深圳）有限公司

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BD436S价格：￥1.2588品牌：Fairchild

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BD436功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD436G功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 32V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD436S功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD436STU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD436T功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 32V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD436TG功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 32V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    BD436

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    500mV @ 200mA，2A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 10mA，5V

  • 频率 - 跃迁：

    3MHz

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-225AA，TO-126-3

  • 供应商器件封装：

    SOT-32-3

  • 描述：

    TRANS PNP 32V 4A SOT32-3

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