BD434中文资料PDF规格书
厂商型号 |
BD434 |
参数属性 | BD434 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 22V 4A SOT32-3 |
功能描述 | TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors |
文件大小 |
1.27676 Mbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | Nanjing International Group Co |
企业简称 |
DGNJDZ【南晶电子】 |
中文名称 | 东莞市南晶电子有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-23 23:37:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
BD434三极管、BD434晶体管、BD434晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
22V
- 最大电流允许值:
4A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD186,BD196,CD50A,
- 最大耗散功率:
36W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-21
- vtest:
22
- htest:
100000100
- atest:
4
- wtest:
36
BD434规格书详情
FEATURES
Amplifier and Switching Applications
Complement To BD433, BD435 And BD437
产品属性
- 产品编号:
BD434
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 10mA,5V
- 频率 - 跃迁:
3MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
SOT-32-3
- 描述:
TRANS PNP 22V 4A SOT32-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/STMicroelectronics/意法半导 |
21+ |
TO126 |
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ST |
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