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BD2320EFJ-LA集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

BD2320EFJ-LA
厂商型号

BD2320EFJ-LA

参数属性

BD2320EFJ-LA 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:100 V VB 3.5 A/4.5 A PEAK CURREN

功能描述

High Frequency High-Side and Low-Side Driver

丝印标识

BD2320

封装外壳

HTSOP-J8 / 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

文件大小

1.13775 Mbytes

页面数量

21

生产厂商 Rohm
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
ROHM
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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BD2320EFJ-LA规格书详情

General Description

This is the product guarantees long time support in

industrial market.

BD2320EFJ-LA and BD2320UEFJ-LA are the 100 V

maximum voltage High-Side and Low-Side gate drivers

which can drive external Nch-FET using the bootstrap

method. The driver includes a 100 V bootstrap diode and

independent inputs control for High-Side and Low-Side.

3.3 V and 5.0 V are available for interface voltage. Under

Voltage Lockout circuits are built in for High-Side and

Low-Side.

特性 Features

◼ Long Time Support Product for Industrial Applications.

◼ Under Voltage Lockout (UVLO) for High-Side and

Low-Side Driver

◼ 3.3 V and 5.0 V Interface Voltage

◼ Output In-phase with Input Signal

Applications

◼ Power Supplies for Telecom and Datacom.

◼ MOSFET Application

◼ Half-bridge and Full-bridge Converters

◼ Forward Converters

产品属性

  • 产品编号:

    BD2320EFJ-LAE2

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    高压侧和低压侧

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    7.5V ~ 14.5V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.7V、1.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    3.5A,4.5A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    8ns,6ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-HTSOP-J

  • 描述:

    100 V VB 3.5 A/4.5 A PEAK CURREN

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