BCW67B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
BCW67B |
参数属性 | BCW67B 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 32V 0.8A SOT23 |
功能描述 | PNP General Purpose Amplifier |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
157.71 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
企业简称 |
BILIN【银河微电】 |
中文名称 | 常州银河世纪微电子股份有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-23 19:10:00 |
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BCW67B规格书详情
FEATURES
● For general AF applications.
● High current gain.
● Low collector-emitter saturation voltage.
● Complementary types:BCW65,BCW66(NPN).
APPLICATIONS
● This device is designed for general purpose amplifier
and switching applications.
产品属性
- 产品编号:
BCW67BE6327HTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
700mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
20nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
160 @ 100mA,1V
- 频率 - 跃迁:
200MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
PG-SOT23
- 描述:
TRANS PNP 32V 0.8A SOT23
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-23 |
880000 |
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