BCW65C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BCW65C |
| 参数属性 | BCW65C 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN General Purpose Amplifier |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
216.45 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
| 企业简称 |
BILIN【银河微电】 |
| 中文名称 | 常州银河世纪微电子股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-20 20:00:00 |
| 人工找货 | BCW65C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BCW65C规格书详情
FEATURES
● For general AF appilications.
● High current gain.
● Low collector-emitter saturation voltage.
● Complementary types:BCW67,BCW68(PNP)
APPLICATIONS
● General purpose medium power amplifier.
● Switching appilication.
产品属性
- 产品编号：
BCW65CLT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
20nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 100mA，1V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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