| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ON/安森美NA |
24000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT23 |
7906200 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONSOT23 |
89000 |
18+ |
全新原装现货,假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23 |
2834 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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ONTO-220-3 |
50000 |
22+ |
ON二三极管全系列在售 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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onsemiTO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23(TO-236) |
3022 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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ON/安森美NA |
48000 |
21+ |
原装现货 假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-23(SOT-23-3) |
8080 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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onsemi(安森美)SOT23 |
6000 |
23+ |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23 |
10000 |
21+ |
只做原装 假一赔万 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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ONNA |
28562 |
2017+ |
只做原装正品假一赔十! |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT-23(SOT-23-3) |
6000 |
22+ |
只做原装,假一赔十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ONSEMI/安森美SOT-23 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ONSEMINA/ |
84000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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ONSOT-23 |
12000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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ON/安森美NA |
275000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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ON/安森美SOT-23(SOT-23-3) |
10000 |
22+ |
十年沉淀唯有原装 |
BCW32L采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BCW32L图片
BCW32LT1G价格
BCW32LT1G价格：￥0.1043品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的BCW32LT1G多少钱，想知道BCW32LT1G价格是多少？参考价：￥0.1043。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BCW32LT1G批发价格及采购报价，BCW32LT1G销售排行榜及行情走势，BCW32LT1G报价。
BCW32LT1G中文资料Alldatasheet PDF
更多BCW32L功能描述:BJT
BCW32LR功能描述:BJT
BCW32LT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW32LT1/D功能描述:General Purpose Transistors
BCW32LT1D制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors
BCW32LT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW32LT1G_09制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors
