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BCW30分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BCW30
厂商型号

BCW30

参数属性

BCW30 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 32V 0.5A SOT23-3

功能描述

PNP General Purpose Amplifier

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

24.93 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-27 23:01:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BCW30R

  • 别名:

    BCW30三极管、BCW30晶体管、BCW30晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    微型 (Min)_低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    0.05A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BCW70R,3CG110B,

  • 最大耗散功率:

    0.15W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-9

  • vtest:

    30

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.05

  • wtest:

    0.15

BCW30规格书详情

PNP General Purpose Amplifier

• This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 300mA.

• Sourced from process 68.

产品属性

  • 产品编号:

    BCW30

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    215 @ 2mA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 32V 0.5A SOT23-3

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