BCW30分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BCW30 |
| 参数属性 | BCW30 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 32V 0.5A SOT23-3 |
| 功能描述 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
32.81 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | SAMSUNG |
| 中文名称 | 三星 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-2 8:14:00 |
| 人工找货 | BCW30价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BCW30三极管、BCW30晶体管、BCW30晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
微型 （Min）_低频或音频放大 （LF）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
30V
- 最大电流允许值：
0.05A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BCW70R,3CG110B,
- 最大耗散功率：
0.15W
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-9
- vtest：
30
- htest：
999900
- atest：
0.05
- wtest：
0.15
BCW30规格书详情
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
产品属性
- 产品编号：
BCW30
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
215 @ 2mA，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS PNP 32V 0.5A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+ |
N/A |
18746 |
样件支持,可原厂排单订货! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-23 |
154310 |
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恩XP |
24+ |
SOT-23 |
60100 |
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3400 |
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24+ |
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15+ |
SOT-23 |
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22+ |
SOT-23 |
100000 |
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SOT-23 |
23+ |
510000 |
授权代理/原厂FAE技术支持 |
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