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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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Infineon(英飞凌)N/A

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市星源辉科技有限公司

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NEXPERIA/安世SOT-23

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原装正品,可配单,支持实单

深圳市中飞凌科技有限公司

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NEXPERIA/安世SOT-23

20000

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原装现货,原厂渠道价格优势

深圳市富达微科技有限公司

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ONSOT23

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原厂原装,价格优势,欢迎洽谈!

深圳市诚利顺电子科技有限公司

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NEXPERIASOT23

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专注原装芯片21年 一手货源 样品免费送

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BCW72LT1G

onsemi(安森美)SOT-23-3

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QQ询价 绝对原装正品

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INFINEONN/A

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柒号只做原装 现货价秒杀全网

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BCW71

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NEXPERIA/安世SOT-23

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原装,可BOM配单

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NEXPERIA/安世SOT-23

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公司只做原装正品

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BCW71

Nexperia(安世)

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)N/A

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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市凌旭科技有限公司

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FAIRCHILDSOT23

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深圳市纳立科技有限公司

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ON-SEMIN/A

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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恩XPSOT23-3

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INFINEON/英飞凌SOT23-3

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BCW89

NEXPERIA/安世SOT23-3

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原装现货实单必成

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BCW66H

CJSOT23

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2450+

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恩XPQFN/BGA

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ONSOT23

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BCW 60C E6327功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BCW 60D E6327功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BCW 60FF E6327功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BCW 61A E6327功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BCW29 /T3功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BCW29 T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BCW29,215功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BCW29,235功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BCW29/T1功能描述:TRANSISTOR SOT-23