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BCV49分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BCV49

参数属性

BCV49 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT89-3

功能描述

SOT89 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR
TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT89-3

封装外壳

TO-243AA

文件大小

26.9 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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数据手册

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更新时间

2026-1-25 10:39:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BCV49

  • 别名:

    BCV49三极管、BCV49晶体管、BCV49晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    0.5A

  • 最大工作频率:

    200MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BST51,BST52,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

    β=10000

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    80

  • htest:

    200000000

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    1

BCV49规格书详情

BCV49属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的BCV49晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

• BVCEO > 60V

• Darlington Transistor hFE > 10k @ 100mA for High Gain

• IC = 500mA High Continuous Collector Current

• Complementary Darlington PNP Type: FCX705

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BCV49TA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 100µA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10000 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    170MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT89-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
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SOT89
6000
原装正品
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