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BCV49分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BCV49
厂商型号

BCV49

参数属性

BCV49 封装/外壳为TO-243AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT89

功能描述

NPN Silicon Darlington Transistors
TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT89

封装外壳

TO-243AA

文件大小

47.8 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 22:59:00

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BCV49规格书详情

BCV49属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的BCV49晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

NPN Silicon Darlington Transistors

• For general AF applications

• High collector current

• High current gain

• Complementary types: BCV28, BCV48 (PNP)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BCV49E6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 100µA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10000 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT89

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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