BCV29中文资料SOT89 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
BCV29 |
| 参数属性 | BCV29 封装/外壳为TO-243AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANSISTOR DARL NPN 30V SOT-89 |
| 功能描述 | SOT89 NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-4 22:30:00 |
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晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BCV29三极管、BCV29晶体管、BCV29晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
40V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
200MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BST50,BST51,BST52,2SD1470,2SD1511,
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍数：
β>20000
- 图片代号：
H-100
- vtest：
40
- htest：
200000000
- atest：
0.5
- wtest：
1
BCV29规格书详情
简介
BCV29属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Diodes制造生产的BCV29晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
BCV29TA
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 100µA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20000 @ 100mA，5V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89-3
- 描述：
TRANSISTOR DARL NPN 30V SOT-89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
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SOT-89 |
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