BCR553分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号	BCR553
参数属性	BCR553 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
功能描述	PNP Silicon Digital Transistor TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	114.5 Kbytes
页面数量	4 页
生产厂商	INFINEON
中文名称	英飞凌
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-10-13 15:17:00
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BCR553规格书详情

BCR553属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由英飞凌科技股份公司制造生产的BCR553晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。

PNP Silicon Digital Transistor

• Built in bias resistor (R1= 2.2 kΩ, R2= 2.2 kΩ)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

产品属性

产品编号：
BCR553E6327HTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
PG-SOT23
描述：
TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3

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