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|---|---|---|---|---|
Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 描述：TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3 | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= -1.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 7Ω(Max) @ VGS= -10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：313.21 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Enhancement Mode P-Channel Power VMOS Transistor Features: High input impedance High speed switching No minority carrier storage time CMOS logic compatible input No thermal runaway No secondary breakdown Paralleling is simple Heat sink connected to drain 文件：53.39 Kbytes 页数：2 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | ||
DUAL DIGIT LED DISPLAYS 文件：202.86 Kbytes 页数：2 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC |
产品属性
- 产品编号：
BCR512E6327HTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 50mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 2.5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
PG-SOT23
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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